Сегодня женщинам предлагаются новейшие процедуры, призванные восстановить здоровье и красоту на клеточном уровне.
Эстетическая медицина стремится добиться эффекта омоложения при помощи управляемых электрических импульсов. Грамотное сочетание воздействия и частоты позволяет убирать видимые дефекты кожного покрова лица и тела.
RF-лифтинг лица и шеи — это аппаратурный метод, основанный на воздействии радиочастотного излучения. Микроигольчатый RF-лифтинг на аппарате Morpheus 8 спб ускоряет регенерацию тканей, оказывает лечебное воздействие на кожу, повышает её тонус и эластичность.
Технология микро-игольчатого лифтинга основана на использовании тончайших электродов с иглой специально разработанного и запатентованного дизайна. Благодаря таким электродам микроиглы воздействуют не на кожу, а на подкожный слой, сокращая стенки канальцев и, тем самым, активизируя производство коллагена и эластина.
Процедура проводится с использованием специального сертифицированного аппарата. Способ проведения может меняться в зависимости от индивидуальных особенностей клиента.
Главные преимущества методики микро-игольчатого лифтинга:
— безболезненность процедуры и отсутствие восстановительного периода;
— мгновенный видимый результат;
— отсутствие необходимости в использовании анестетиков или противовоспалительных кремов;
-нет необходимости в реабилитации.
Результативность процедуры подкреплена исследованиями в области медицины и косметологии, подтвержденная международными сертификатами качества.
Введение и использование такого вида терапии обусловлено высокой эффективностью воздействия на проблемные зоны, отсутствием побочных эффектов, высокой оперативностью получения результата. А также возможностью проведения всех рекомендованных FDA и одобренных Минздравом процедур без необходимости замораживания тканей.
Перед процедурой проводится консультация, направленная на определение состояния кожи. Если у пациента имеются любые противопоказания к использованию RF косметологии, то необходимо провести дуплексное сканирование вен для диагностики их состояния.